[发明专利]一种提高光栅结构均匀度的电子束曝光方法有效
| 申请号： | 201310510519.X | 申请日： | 2013-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN103576221A | 公开（公告）日： | 2014-02-12 |
| 发明（设计）人： | 王莉娟;喻颖;査国伟;徐建星;倪海桥;牛智川 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | G02B5/18 | 分类号： | G02B5/18;G03F7/00;G03F7/20;B82Y10/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 宋焰琴 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种提高光栅均匀度的方法。该方法包括：在晶片上涂覆电子束胶；将涂覆电子束胶的晶片放在烘箱内进行前烘；利用版图设计工具在光栅结构周围排列梯形补偿图形；对晶片进行电子束曝光和显影，以完成包含梯形补偿图形的光栅结构。该方法利用补偿的图形，减弱了电子束曝光中邻近效应的影响，增加了纳米量级光栅曝光的均匀度。本发明不是通过改变图形本身的曝光剂量和尺寸来减少邻近效应，而是在图形四周增加补偿图形来达到减弱邻近效应，以提高光栅曝光均匀度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 光栅 结构 均匀 电子束 曝光 方法 | ||
【主权项】：
一种提高光栅均匀度的方法，该方法包括：步骤1：在晶片上涂覆电子束胶；步骤2：将涂覆电子束胶的晶片放在烘箱内进行前烘；步骤3：利用版图设计工具在光栅结构周围排列梯形补偿图形；步骤4：对晶片进行电子束曝光和显影，以完成包含梯形补偿图形的光栅结构。
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