[发明专利]使用回归分析的半导体存储系统及其读取方法有效
| 申请号： | 201310511873.4 | 申请日： | 2013-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN103778962B | 公开（公告）日： | 2019-04-16 |
| 发明（设计）人： | 金广勋;孔骏镇;薛昶圭;孙弘乐 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C16/06 | 分类号： | G11C16/06;G11C16/26 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 张泓 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供了一种存储系统及其读取方法，所述存储系统包括：比特计数器和回归分析器。比特计数器被配置为基于使用多个不同的读取电压从所选择的存储单元中读取的数据来生成多个计数值，所述多个计数值中的每一个指示具有多个不同的读取电压中的一对读取电压之间的阈值电压的、存储设备的存储单元的数目。回归分析器被配置为使用回归分析而基于所述多个计数值来为所选择的存储单元确定读取电压。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 回归 分析 半导体 存储系统 及其 读取 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于非易失性存储设备的读取方法，所述方法包括：使用多个不同的读取电压对所选择的存储单元执行读取操作；基于使用所述不同的读取电压读取的数据，对多个阈值电压带中的每个中的存储单元的数目进行计数；基于所述多个阈值电压带中的每个中的存储单元的数目来决定与所选择的存储单元的阈值电压相对应的概率密度函数的坐标值；基于所述坐标值来获得所述概率密度函数的系数；以及将与所述概率密度函数的最小值对应的阈值电压决定为所选择的存储单元的读取电压。
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