[发明专利]快闪存储器的抹除方法有效
申请号: | 201310513652.0 | 申请日: | 2013-10-25 |
公开(公告)号: | CN104575604B | 公开(公告)日: | 2018-01-19 |
发明(设计)人: | 林宏学 | 申请(专利权)人: | 华邦电子股份有限公司 |
主分类号: | G11C16/14 | 分类号: | G11C16/14 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司11127 | 代理人: | 汤在彦 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 本发明为一种快闪存储器的抹除方法,包括预编程快闪存储器的多个第一存储单元,其中第一存储单元设置于由多个列线与多个行线所组成的一存储器阵列。抹除已编程的第一存储单元。后编程已抹除的第一存储单元,以修复已过度抹除的第一存储单元。在后编程已抹除的第一存储单元之后,编程多个第二存储单元。第二存储单元设置在存储器阵列的一第一特定列线,且第一特定列线安排在对应于一最后有效列地址的一最后列线之后。在本发明中,藉由使用设置在额外列线上的存储单元来记录存储器阵行中所对应的行线上存储单元的使用状态,可快速地判断出所选用的区段是否为空白区段。 | ||
搜索关键词: | 闪存 方法 | ||
【主权项】:
一种快闪存储器的抹除方法,其特征在于,所述方法包括:预编程该快闪存储器的多个第一存储单元,其中所述第一存储单元设置于由多个列线与多个行线所组成的一存储器阵列;抹除已编程的所述第一存储单元;后编程已抹除的所述第一存储单元,以修复已过度抹除的所述第一存储单元;以及在后编程已抹除的所述第一存储单元之后,编程该存储器阵列的多个第二存储单元,其中所述第二存储单元设置在该存储器阵列的一第一特定列线,以及该第一特定列线安排在对应于一最后有效列地址的一最后列线之后;其中该存储器阵列还包括多个第三存储单元,其中所述第三存储单元设置在该存储器阵列的一第二特定列线,其中该第二特定列线安排在该最后列线之后并相邻于该第一特定列线。
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