[发明专利]一种带有大面积纳米图形的蓝宝石模板制作方法无效
| 申请号： | 201310514197.6 | 申请日： | 2013-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN103545173A | 公开（公告）日： | 2014-01-29 |
| 发明（设计）人： | 杜成孝;魏同波;吴奎;王军喜;李晋闽 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/027 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 宋焰琴 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种带有纳米图形的蓝宝石模板制作方法，包括：选择蓝宝石衬底模板；在所述蓝宝石衬底模板上旋涂光刻胶，并在所述光刻胶上铺单层密排自组装纳米球；对单层密排自组装纳米球进行曝光，然后去除单层密排自组装纳米球并显影，最终获得带有孔洞图形光刻胶的蓝宝石模板；在带有孔洞图形光刻胶的蓝宝石模板上覆盖掩蔽层；然后剥离所述光刻胶上的掩蔽层并清洗掉光刻胶，获得带有掩蔽柱图形的蓝宝石模板；将所述掩蔽柱图形转移至所述蓝宝石衬底，最终获得带有纳米图形的蓝宝石模板。本发明公开的上述制作方法工艺简单、成本低廉，且利用自然光刻技术制作了尺寸可控的纳米图形蓝宝石(sapphire)模板。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 带有 大面积 纳米 图形 蓝宝石 模板 制作方法 | ||
【主权项】：
一种带有纳米图形的蓝宝石模板制作方法，包括：步骤1：选择蓝宝石衬底模板；步骤2：在所述蓝宝石衬底模板上旋涂光刻胶，并在所述光刻胶上铺单层密排自组装纳米球；步骤3：对单层密排自组装纳米球进行曝光，然后去除单层密排自组装纳米球并显影，最终获得带有孔洞图形光刻胶的蓝宝石模板；步骤4：在带有孔洞图形光刻胶的蓝宝石模板上覆盖掩蔽层；然后剥离所述光刻胶上的掩蔽层并清洗掉光刻胶，获得带有掩蔽柱图形的蓝宝石模板；步骤5：将所述掩蔽柱图形转移至所述蓝宝石衬底，最终获得带有纳米图形的蓝宝石模板。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
