[发明专利]一种集成二极管的集电极短路IGBT结构在审
| 申请号： | 201310515887.3 | 申请日： | 2013-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN103606557A | 公开（公告）日： | 2014-02-26 |
| 发明（设计）人： | 何志;谢刚 | 申请（专利权）人： | 佛山芯光半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 528226 广东省佛山市南*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种集成二极管的集电极短路IGBT结构，包括元胞区(110)和环绕于所述元胞区(110)的终端区(111)，属于功率半导体器件技术领域。其中元胞区(110)包括绝缘层(10)、多晶硅栅极(30)、发射极金属(50)、P-body区(20)、发射极N+区(40)、N-漂移区(80)、集电极P+区(90)和集电极区(100)；终端区(111)包括主结(21)、场限环(61)、沟道截止环(71)、N-漂移区(81)、N+集电极短路区(91)、发射极金属(51)、集电极金属(101)和绝缘层(11)。主结(21)、N-漂移区(81)以及集电极N+区(91)形成了反并联PiN二极管，不仅减小了器件的整体面积和封装成本，而且提高了器件的开关速度并克服了传统集电极短路的逆阻效应。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 集成 二极管 集电极 短路 igbt 结构 | ||
【主权项】：
一种集成二极管的集电极短路IGBT结构，包括元胞区(110)和环绕于所述元胞区(110)的终端区(111)，属于功率半导体器件技术领域。其中元胞区(110)包括绝缘层(10)、多晶硅栅极(30)、发射极金属(50)、P‑body区(20)、发射极N+区(40)、N‑漂移区(80)、集电极P+区(90)和集电极区(100)；终端区(111)包括主结(21)、场限环(61)、沟道截止环(71)、N‑漂移区(81)、N+集电极短路区(91)、发射极金属(51)、集电极金属(101)和绝缘层(11)，其特征在于，终端部分的集电极区域全部是N+区(91)，其中主结(21)、N‑漂移区(81)以及集电极N+区(91)形成了反并联PiN二极管。
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