[发明专利]碳纳米管阵列的电镀修饰方法有效

专利信息
申请号: 201310516117.0 申请日: 2013-10-25
公开(公告)号: CN103526248A 公开(公告)日: 2014-01-22
发明(设计)人: 王蓬勃;杨湛;汝长海;陈涛;刘吉柱;潘明强;黄海波;孙立宁 申请(专利权)人: 苏州大学
主分类号: C25D5/54 分类号: C25D5/54;C25D7/04;B82Y40/00
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 常亮
地址: 215123 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种碳纳米管阵列的电镀修饰方法,其包括如下步骤,提供碳纳米管阵列,将其置于真空腔内,密闭真空腔,对真空腔进行抽气以降低真空腔内的压力,再向真空腔内注入去离子水,使碳纳米管阵列完全浸入去离子水中;继续抽气,当碳纳米管阵列的表面停止析出气泡时,停止抽气;向真空腔内注入空气,使内外压力平衡,然后将碳纳米管阵列取出;经过真空预处理的碳纳米管阵列置于电镀液中浸泡后进行电镀。本发明的碳纳米管阵列的电镀修饰方法采用了真空预处理工艺,使电镀液能够进入碳纳米管的内部,从而使碳纳米管的底部到顶部都均匀沉积一层金属纳米粒子,如此充分发挥了碳纳米管阵列的三维优势,大大提高了碳纳米管阵列的性能。
搜索关键词: 纳米 阵列 电镀 修饰 方法
【主权项】:
一种碳纳米管阵列的电镀修饰方法,其特征在于,所述电镀修饰方法包括如下步骤,提供碳纳米管阵列,将其置于真空腔内,密闭真空腔,对真空腔进行抽气以降低真空腔内的压力,再向真空腔内注入去离子水,使碳纳米管阵列完全浸入去离子水中;继续抽气,当碳纳米管阵列的表面停止析出气泡时,停止抽气;向真空腔内注入空气,使内外压力平衡,然后将碳纳米管阵列取出;经过真空预处理的碳纳米管阵列置于电镀液中浸泡后进行电镀。
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