[发明专利]具有场板终端保护的4H-SiC肖特基源漏MOSFET器件及其制备方法

摘要

本发明公开了一种具有场板终端保护的4H-SiC肖特基源漏MOSFET器件及其制备方法为：标准清洗流程，场氧LPCVD方法淀积场区二氧化硅；光刻有源区，HF漂洗；淀积多晶硅标准LPCVD多晶硅淀积工艺；多晶硅掺杂磷离子注入；刻蚀多晶硅，等离子体刻蚀；牺牲氧化样片1：离子注入退火1050度N2气氛退火；腐蚀牺牲氧化层样片1，HF漂洗；清洗标准清洗流程；形成栅氧和侧墙；氧化后退火1050度N2气氛退火；光刻源漏接触区，HF漂沈；光刻金属引线，形成金属电极蒸发Ti，150nm，剥离；合金退火700度N2气氛退火；器件为衬底和外延层。本发明较好的解决了4H-SiCMOSFET存在反型层迁移率过低，导致器件跨导、导通电阻输出特性变差的问题。

主权项

一种具有场板终端保护的4H‑SiC肖特基源漏MOSFET器件的制备方法，该具有场板终端保护的4H‑SiC肖特基源漏MOSFET器件的制备方法包括以下主要步骤：步骤一，标准清洗流程，场氧LPCVD方法淀积场区二氧化硅，淀积厚度500nm；步骤二，光刻有源区1，光刻版，HF漂洗；淀积多晶硅标准LPCVD多晶硅淀积工艺，厚度在600nm；多晶硅掺杂磷离子注入，剂量4×1015cm，能量120keV；步骤三，刻蚀多晶硅，等离子体刻蚀；牺牲氧化样片1，1050度干氧氧化l0分钟：离子注入退火1050度N2气氛退火，40分钟；步骤四，腐蚀牺牲氧化层样片1，光刻版，HF漂洗；标准清洗流程；形成栅氧和侧墙，1050度干氧氧化90分钟；步骤五，氧化后退火1050度N2气氛退火，30分钟；光刻源漏接触区，HF漂沈；光刻会属引线44光刻版，形成金属电极蒸发Ti，150nm，剥离；步骤六，合金退火700度N2气氛退火，30秒。