[发明专利]超深孔等离子刻蚀工艺后关键尺寸一致性的控制方法有效
| 申请号： | 201310522892.7 | 申请日： | 2013-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN104550132A | 公开（公告）日： | 2015-04-29 |
| 发明（设计）人： | 刘国勇;李斌生;张英男;丁超;钟鑫生 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | B08B7/00 | 分类号： | B08B7/00 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种超深孔等离子刻蚀工艺后关键尺寸一致性的控制方法，所述超深孔等离子刻蚀工艺后关键尺寸一致性的控制方法包括：在超深孔等离子刻蚀工艺之后的反应腔室中通入混合气体，所述混合气体包括：氮气、氢气及含氟气体；对通入混合气体的反应腔室执行等离子体工艺。通过在超深孔等离子刻蚀工艺之后的反应腔室中通入混合气体，所述混合气体包括：氮气、氢气及含氟气体；对通入混合气体的反应腔室执行等离子体工艺，使得积聚在反应腔室壁上的金属铜层被清除。从而避免/减轻了在超深孔等离子刻蚀工艺之后的氧化层刻蚀速率漂移的问题，提高了超深孔等离子刻蚀量产工艺关键尺寸一致性，以及所形成的集成电路器件的一致性。 | ||
| 搜索关键词： | 超深孔 等离子 刻蚀 工艺 关键 尺寸 一致性 控制 方法 | ||
【主权项】：
一种超深孔等离子刻蚀工艺后关键尺寸一致性的控制方法，其特征在于，包括：在超深孔等离子刻蚀工艺之后的反应腔室中通入混合气体，所述混合气体包括：氮气、氢气及含氟气体；对通入混合气体的反应腔室执行等离子体工艺。
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