[发明专利]半导体存储装置及利用半导体存储装置的操作方法有效
| 申请号： | 201310524599.4 | 申请日： | 2013-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN104103316B | 公开（公告）日： | 2019-08-27 |
| 发明（设计）人： | 尹正赫 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/24 | 分类号： | G11C16/24;G11C16/06 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 俞波;许伟群 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种半导体存储装置包括：命令处理块，被配置成在写入操作中响应于第一控制信号和第二控制信号而产生电压发生开始信号、第一写入控制信号、第二写入控制信号、读取信号以及操作信号；以及存储器控制块，被配置成响应于电压发生开始信号、第一写入控制信号、第二写入控制信号、读取信号以及操作信号而将存储数据的存储器块与感测放大器电耦接，或者将预定的电压施加至存储器块。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 利用 操作方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储装置，包括：命令处理块，所述命令处理块被配置成在写入操作中响应于内部命令信号、第一控制信号和第二控制信号而产生电压发生开始信号、第一写入控制信号、第二写入控制信号、读取信号以及操作信号；以及存储器控制块，所述存储器控制块被配置成响应于所述电压发生开始信号、所述第一写入控制信号、所述第二写入控制信号、所述读取信号以及所述操作信号而将存储数据的存储器块与感测放大器电耦接、或者将预定电压施加至所述存储器块，其中，在所述写入操作中，所述命令处理块响应于所述内部命令信号而将所述电压发生开始信号使能，当所述电压发生开始信号被使能时，所述存储器控制块开始产生要被供应至所述存储器块的电压，同时所述命令处理块产生被使能预定的时间的所述读取信号，以及在所述读取信号被禁止时响应于所述第一控制信号和第二控制信号来将所述第一写入控制信号和所述第二写入控制信号选择性地使能，并且所述存储器控制块响应于所述第一写入控制信号和所述第二写入控制信号以及所述操作信号来将具有预定的电压电平的电压施加至所述存储器块。
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