[发明专利]一种功率半导体器件及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201310526025.0 申请日: 2013-10-30
公开(公告)号: CN103531586A 公开(公告)日: 2014-01-22
发明(设计)人: 乔明;李燕妃;张昕;叶珂;周锌;张波 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: H01L27/06 分类号: H01L27/06;H01L29/36;H01L21/782
代理公司: 成都宏顺专利代理事务所(普通合伙) 51227 代理人: 李顺德;王睿
地址: 611731 四川省成*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明涉及半导体技术,具体的说是涉及一种功率半导体器件及其制造方法。本发明的一种功率半导体器件,其特征在于将第一类高压nLDMOS器件1、第二类高压nLDMOS器件2、第三类高压nLDMOS器件3、第四类高压nLDMOS器件4、第五类高压nLDMOS器件5、第六类高压nLDMOS器件6、低压NMOS器件7、低压PMOS器件8和低压NPN器件9集成于同一芯片上。本发明的有益效果为,衬底10上实现nLDMOS、低压NMOS、低压PMOS和低压NPN的单片集成,为高压器件提供了低阻的导电通道,提高器件的电导率,大大降低了高压器件的比导通电阻,从而降低芯片的制造成本。本发明尤其适用于功率半导体器件及其制造。
搜索关键词: 一种 功率 半导体器件 及其 制造 方法
【主权项】:
一种功率半导体器件,包括半导体衬底(10),其特征在于,所述半导体衬底(10)中集成了多个高压nLDMOS器件以及低压NMOS器件(7)、低压PMOS器件(8)和低压NPN器件(9);多个高压nLDMOS器件之间通过金属前介质(11)和场氧化层(51)相互隔离;低压NMOS器件(7)、低压PMOS器件(8)和低压NPN器件(9)之间通过金属前介质(11)和场氧化层(51)相互隔离;低压NMOS器件(7)和相邻的高压nLDMOS器件间通过金属前介质(11)和场氧化层(51)相互隔离,所述金属前介质(11)设置在场氧化层(51)的上表面;所述多个高压nLDMOS器件至少包括6类高压nLDMOS器件。
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