[发明专利]一种功率半导体器件及其制造方法有效
申请号: | 201310526025.0 | 申请日: | 2013-10-30 |
公开(公告)号: | CN103531586A | 公开(公告)日: | 2014-01-22 |
发明(设计)人: | 乔明;李燕妃;张昕;叶珂;周锌;张波 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | H01L27/06 | 分类号: | H01L27/06;H01L29/36;H01L21/782 |
代理公司: | 成都宏顺专利代理事务所(普通合伙) 51227 | 代理人: | 李顺德;王睿 |
地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及半导体技术,具体的说是涉及一种功率半导体器件及其制造方法。本发明的一种功率半导体器件,其特征在于将第一类高压nLDMOS器件1、第二类高压nLDMOS器件2、第三类高压nLDMOS器件3、第四类高压nLDMOS器件4、第五类高压nLDMOS器件5、第六类高压nLDMOS器件6、低压NMOS器件7、低压PMOS器件8和低压NPN器件9集成于同一芯片上。本发明的有益效果为,衬底10上实现nLDMOS、低压NMOS、低压PMOS和低压NPN的单片集成,为高压器件提供了低阻的导电通道,提高器件的电导率,大大降低了高压器件的比导通电阻,从而降低芯片的制造成本。本发明尤其适用于功率半导体器件及其制造。 | ||
搜索关键词: | 一种 功率 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种功率半导体器件,包括半导体衬底(10),其特征在于,所述半导体衬底(10)中集成了多个高压nLDMOS器件以及低压NMOS器件(7)、低压PMOS器件(8)和低压NPN器件(9);多个高压nLDMOS器件之间通过金属前介质(11)和场氧化层(51)相互隔离;低压NMOS器件(7)、低压PMOS器件(8)和低压NPN器件(9)之间通过金属前介质(11)和场氧化层(51)相互隔离;低压NMOS器件(7)和相邻的高压nLDMOS器件间通过金属前介质(11)和场氧化层(51)相互隔离,所述金属前介质(11)设置在场氧化层(51)的上表面;所述多个高压nLDMOS器件至少包括6类高压nLDMOS器件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的