[发明专利]多晶硅电子束熔炼过程中减少硅液飞溅的方法有效
| 申请号： | 201310526886.9 | 申请日： | 2013-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN103570024A | 公开（公告）日： | 2014-02-12 |
| 发明（设计）人： | 王登科;姜大川;谭毅 | 申请（专利权）人： | 青岛隆盛晶硅科技有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/037 | 分类号： | C01B33/037 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 266234 山东省*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明属于电子束熔炼领域，特别涉及一种多晶硅电子束熔炼过程中减少硅液飞溅的方法。包括备料、抽真空、预处理和熔炼，在预处理之后，继续进行下述步骤：（1）调节电子束束流，加热使硅料开始熔化；（2）调节电子束束斑沿着坩埚内壁上沿向坩埚圆心做螺旋移动，电子束束斑运动到坩埚圆心后，做反向螺旋移动；重复本次螺旋运动；（3）电子束束斑运动结束后，进行电子束熔炼。本发明的显著效果是能够减少硅液飞溅所带来的硅料损失，减少对真空腔内的烧蚀，避免由硅液飞溅引起的真空腔内压强骤变，从而带来的电子枪停机的隐患，工艺更加简单且易于操作。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 电子束 熔炼 过程 减少 飞溅 方法 | ||
【主权项】：
一种多晶硅电子束熔炼过程中减少硅液飞溅的方法，包括备料、抽真空、预处理和熔炼，其特征在于在预处理之后，继续进行下述步骤：（1）调节电子束束流，加热使硅料开始熔化；（2）调节电子束束斑沿着坩埚内壁上沿向坩埚圆心做螺旋移动，电子束束斑运动到坩埚圆心后，做反向螺旋移动至坩埚内壁上沿；重复上述螺旋移动；（3）电子束束斑运动结束后，进行电子束熔炼。
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