[发明专利]通过锡和锌共掺杂制备低铟含量氧化铟锡薄膜的方法无效
| 申请号： | 201310528453.7 | 申请日： | 2013-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN103526173A | 公开（公告）日： | 2014-01-22 |
| 发明（设计）人： | 郭新立;贵宾华;黄瑛;刘建双 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/08 |
| 代理公司： | 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 | 代理人： | 杨晓玲 |
| 地址： | 211189 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明是一种通过锡和锌共掺杂制备低铟含量氧化铟锡薄膜的方法，低铟含量氧化铟锡ITO薄膜采用磁控溅射技术制备，所用的靶材为掺Sn量为4-10%wt的ITO陶瓷靶，在其上覆盖直径为1-3cm，厚度为0.3-0.5cm，纯度为99.0-99.99%wt的ZnO陶瓷靶材，在玻璃衬底上制备出低铟含量的高质量ITO透明导电薄膜；锡和锌掺杂量为10%-25%wt，沿（400）面择优取向、膜厚均匀为1300-1800nm，薄膜电阻率为2-9×10-3Ω.cm，透光率>90%；In含量为75%-90%wt。克服通过单一掺杂技术制备ITO薄膜的局限，即Sn的最大掺入量不能超过10%。能够实现电子和空穴有效复合掺杂,大幅度提高掺杂总量，从而降低ITO薄膜的铟含量，实现降低成本和保护资源环境的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 通过 掺杂 制备 含量 氧化 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
一种通过锡和锌共掺杂制备低铟含量氧化铟锡薄膜的方法，其特征在于：低铟含量氧化铟锡ITO薄膜采用磁控溅射技术制备，所用的靶材为掺Sn量为4‑10%wt的ITO陶瓷靶，在其上覆盖直径为1‑3cm，厚度为0.3‑0.5cm，纯度为99.0‑99.99%wt的ZnO陶瓷靶材，在玻璃衬底上制备出低铟含量的高质量ITO透明导电薄膜；锡和锌掺杂量为10%‑25%wt，沿（400）面择优取向、膜厚均匀为1300‑1800nm，薄膜电阻率为2‑9×10‑3Ω.cm，透光率>90%；In含量为75%‑90%wt。
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