[发明专利]垂直型半导体器件及其制造方法和操作方法有效
| 申请号： | 201310528766.2 | 申请日： | 2013-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN104037188B | 公开（公告）日： | 2018-06-26 |
| 发明（设计）人： | 崔康植 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/24 | 分类号： | H01L27/24;H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 俞波;毋二省 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供了一种垂直型半导体器件及其制造方法。所述垂直型半导体器件包括：柱体结构，所述柱体结构具有导电层和数据储存材料的层叠结构，并且形成在公共源极区上，以及栅极，所述栅极被形成为包围柱体结构的数据储存材料。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直型半导体器件 柱体结构 数据储存材料 公共源极区 层叠结构 导电层 制造 包围 | ||
【主权项】：
1.一种垂直型半导体器件，包括：柱体结构，所述柱体结构具有导电层和数据储存材料的层叠结构，并且形成在公共源极区上；以及栅电极，所述栅电极被形成为包围所述柱体结构的所述数据储存材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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