[发明专利]浅沟槽隔离结构制备方法有效
| 申请号： | 201310530767.0 | 申请日： | 2013-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN103531522A | 公开（公告）日： | 2014-01-22 |
| 发明（设计）人： | 江润峰 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;林彦之 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体技术领域，公开了一浅沟槽隔离结构制备方法，包括步骤：提供半导体基底，其表面覆盖有二氧化硅层；刻蚀在半导体基底中形成第一沟槽；氧化所述第一沟槽底部及侧壁形成覆盖其表面的二氧化硅薄膜；在上述沟槽结构表面形成线性氮化硅层；在所述线性氮化硅层表面形成线性二氧化硅层；涂覆聚硅氮烷对所述第一沟槽进行填充；高温固化；平坦化；刻蚀清洗，形成第二沟槽；沉积二氧化硅填充层，对第二沟槽进行填充；退火。本发明采用聚硅氮烷对第一沟槽较深的位置进行致密的填充并固化，对于较浅的第二沟槽，则采用高密度等离子体填充并退火，从而在防止硅损失的同时，有效消除二氧化硅填充层的中间孔洞。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 隔离 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种浅沟槽隔离结构制备方法，包括步骤：提供半导体基底，其表面覆盖有二氧化硅层；刻蚀在半导体基底中形成第一沟槽；氧化所述第一沟槽底部及侧壁形成覆盖其表面的二氧化硅薄膜；在上述沟槽结构表面形成线性氮化硅层；在所述线性氮化硅层表面形成线性二氧化硅层；涂覆聚硅氮烷对所述第一沟槽进行填充；高温固化；平坦化；刻蚀清洗，形成第二沟槽；沉积二氧化硅填充层，对第二沟槽进行填充；退火。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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