[发明专利]用于改进AMOLED驱动的设备和方法有效
| 申请号： | 201310533729.0 | 申请日： | 2013-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN103810968A | 公开（公告）日： | 2014-05-21 |
| 发明（设计）人： | 张世昌;陈宇成 | 申请（专利权）人： | 苹果公司 |
| 主分类号： | G09G3/32 | 分类号： | G09G3/32;H01L27/32;H01L21/77 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 陈新 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了用于增加有源矩阵有机发光二极管（AMOLED）显示器（32）中像素（62）的孔径比并提供对像素（62）的更精确的灰度级控制的设备和方法。作为例子，一个实施例包括在驱动薄膜晶体管（72）的栅极（80）和电路薄膜晶体管（74）的栅极（86）之间布置栅极绝缘体（136）。显示器（32）的该改进的结构有助于实现用于控制像素（62）的灰度级的更高电压范围，并且可以增加像素（62）的孔径比。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 改进 amoled 驱动 设备 方法 | ||
【主权项】：
一种用于电子设备的显示器，包括：像素阵列，所述像素阵列包括：布置在衬底之上的第一薄膜晶体管（TFT）的第一栅极；布置在所述第一栅极之上的第一绝缘层；布置在所述第一绝缘层之上的第二TFT的第二栅极；布置在所述第一绝缘层和所述第二栅极之上的第二绝缘层；以及布置在所述第二绝缘层之上的TFT层，其中所述TFT层包括源极、漏极和邻近所述源极和所述漏极布置的沟道。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苹果公司，未经苹果公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310533729.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
