[发明专利]外延结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201310535186.6 | 申请日： | 2013-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN104347365A | 公开（公告）日： | 2015-02-11 |
| 发明（设计）人： | 陈孟谷;林宏达;蔡邦彦;张惠政 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;H01L21/3213 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明的一个实施例是一种方法，该方法包括在衬底上的沟槽中外延生长第一III-V族化合物半导体，且在腔室中实施外延生长。第一III-V族化合物半导体具有包括小平面的第一表面。在外延生长之后，蚀刻第一III-V族化合物半导体的第一表面以形成第一III-V族化合物半导体的改性表面。在腔室中原位实施蚀刻第一表面。在第一III-V族化合物半导体的改性表面上外延生长第二III-V族化合物半导体。可以在MOCVD腔室中实施第一III-V族化合物半导体的外延生长，且可以使用HCl气体进行蚀刻。本发明还公开了通过该方法形成的结构。 | ||
| 搜索关键词： | 外延 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种方法，包括：形成具有沟槽的衬底，所述沟槽由隔离区域限定；在所述沟槽中外延生长第一III‑Ⅴ族化合物半导体，所述第一III‑Ⅴ族化合物半导体具有第一表面；蚀刻所述第一III‑Ⅴ族化合物半导体的所述第一表面，以形成所述第一III‑Ⅴ族化合物半导体的改性表面；以及在所述第一III‑Ⅴ族化合物半导体的所述改性表面上外延生长第二III‑Ⅴ族化合物半导体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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