[发明专利]非易失性存储器的管理方法和装置无效
申请号: | 201310535530.1 | 申请日: | 2013-11-01 |
公开(公告)号: | CN103559141A | 公开(公告)日: | 2014-02-05 |
发明(设计)人: | 冯强;王俊杰;孙马秋 | 申请(专利权)人: | 北京昆腾微电子有限公司 |
主分类号: | G06F12/02 | 分类号: | G06F12/02 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 100195 北京市海淀*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明涉及一种非易失性存储器的管理方法和装置。所述方法包括:在根据目标页地址进行写操作时,查询目标区块得到页地址相同的两个页和所述目标页地址对应的页,根据所述两个页的校验码和页标识从所述两个页中选取一个页作为轮换页,根据所述目标页地址对应的页的页数据得到新的页数据,将所述新的页数据写入所述轮换页中;在根据目标页地址进行读操作时,查询目标区块得到所述目标页地址对应的页,当所述目标页地址对应两个页时,根据所述两个页的校验码和页标识从所述两个页中选取一个页作为有效页,读取所述有效页中的数据。本发明可以提高写数据的效率,提高NVM的寿命。 | ||
搜索关键词: | 非易失性存储器 管理 方法 装置 | ||
【主权项】:
一种非易失性存储器的管理方法,其特征在于,所述非易失性存储器包括一个以上区块,每个区块包括复数个页,每页包括数据区和控制信息区,所述控制信息区保存页地址、用于标识目标页地址为所述页地址的写操作的顺序的页标识、和校验码,所述方法包括;在根据目标页地址进行写操作时,查询目标区块得到页地址相同的两个页和所述目标页地址对应的页,根据所述两个页的校验码和页标识从所述两个页中选取一个页作为轮换页,根据所述目标页地址对应的页的页数据得到新的页数据,将所述新的页数据写入所述轮换页中;在根据目标页地址进行读操作时,查询目标区块得到所述目标页地址对应的页,当所述目标页地址对应两个页时,根据所述两个页的校验码和页标识从所述两个页中选取一个页作为有效页,读取所述有效页中的数据。
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