[发明专利]采用等离子体增强化学气相沉积制备减反射膜的方法

摘要

本发明公开了一种采用等离子气相沉积制备减反射膜的方法，该方法包括如下步骤：将硅片放置在载板上，并将所述载板置于反应腔内；向所述反应腔内通入反应气体；通过等离子源激发，在所述硅片表面形成减反射膜；在所述载板的使用周期内，多次执行上述步骤，进行等离子源激发以形成减反射膜的时间随着所述载板的使用次数改变。采用本发明的方法，沉积减反射膜的时间随着载板的使用次数做相应的调整，可以使在载板的使用周期内获得的减反射膜膜厚更均匀。

主权项

一种采用等离子气相沉积制备减反射膜的方法，包括如下步骤：a）将硅片放置在载板上，并将所述载板置于反应腔内；b）向所述反应腔内通入反应气体；c）通过等离子源激发，在所述硅片表面形成减反射膜；其特征在于，在所述载板的使用周期内，多次执行所述步骤a）～所述步骤c），执行所述步骤c）的时间与所述载板使用次数之间的关系如下：T=t1+d×lnn其中：T为每次执行步骤c）的工艺时间；t1为初次使用所述载板执行所述步骤c）的工艺时间；d为参考系数；n为所述载板的使用次数。