[发明专利]一种对接保护带CMOS中的齐纳电压调节器

摘要

一种对接保护带CMOS中的齐纳电压调节器。对接保护带CMOS电路典型的击穿电压大约为7伏。但是常常需要电路工作在大于7伏的电源下。例如，9伏就是常用的电源电压值。在CMOS集成电路中加入一个独立的齐纳二极管可以产生等于保护带击穿值的电压降。齐纳二极管通过一个二极管接法的晶体管耦合到工作电路上。二极管压降从稳压电压值中减掉，这样，电路就总是工作在低于其击穿值的电压下。

主权项

一种对接保护带CMOS中的齐纳电压调节器，其特征是：一个用于对接保护带CMOS集成电路芯片结构的限压电路，可能会工作在电源电压超过上述结构击穿电压的电压值下，上述对接保护带结构包括相对重掺杂的P型和N型区域，它们分别位于轻掺杂衬底材料中，用来防止上述轻掺杂衬底材料中的表面反型层，上述相对重掺杂P型和N型区域相互毗邻，上述电路芯片包括：一个具有第一和第二电极的独立齐纳二极管，其反向偏置击穿电压大致等于上述对接保护带结构的击穿电压；将上述第一二极管电极耦合到上述电源第一端的方法；用于将上述第二二极管电极耦合到上述电源第二端上的电压降；一个具有上述导电类型的重掺杂集电极和发射极区域的横向晶体管，重掺杂集电极和发射极区域位于上述芯片表面旁一定间隔处，并且由具有相反导电类型的基极区隔开，上述发射极耦合在上述第二二极管电极上，上述基极和集电极共同耦合在上述芯片结构的工作电路上。