[发明专利]一种合成半导体金刚石单晶的催化剂生产方法无效
| 申请号： | 201310539133.1 | 申请日： | 2013-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN103801350A | 公开（公告）日： | 2014-05-21 |
| 发明（设计）人： | 熊科学 | 申请（专利权）人： | 熊科学 |
| 主分类号： | B01J27/22 | 分类号： | B01J27/22 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 315194 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种合成半导体金刚石单晶的催化剂的生产方法，包括以下步骤：按各材料的组成比例选料，并分别进行球磨粉碎末；用氢气保护处理后进行二次球磨粉末；按比例混料后轧制成片状结构；把片状结构在烧结炉中保护气氛加热，进行低温烧结，在保护气氛下进行二次轧制，去除片状催化剂的表面，除去污染物和氧化膜；真空包装。与常规使用的镍基催化剂相比，原材料和制造成本大幅度下降。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 合成 半导体 金刚石 催化剂 生产 方法 | ||
【主权项】：
一种合成半导体金刚石单晶的催化剂的生产方法，其特征在于：包括以下步骤：1)按各材料的组成比例选料，其组成按重量百分比为，20‑25％的镍7‑10％的石墨、1.2‑1.5％的锰、0.3‑0.5％的铜、硼铁合金0.5‑0.8％、碳化硼0.5‑1.2％，余量为铁；所述硼铁合金与碳化硼的重量比为2∶3；并分别进行球磨粉碎成200‑300目粉末；2)用氢气保护在380℃处理8小时后进行二次球磨成低于150目的粉末；3)按比例混料后在300‑450Mpa下轧制成0.1‑0.5mm的片状结构；4)把粉末轧制的薄带在烧结炉中通入保护气氛加热，进行850～1000℃的低温烧结，保温时间不少于4小时后在保护气氛下进行二次轧制，压制压力为500‑650Mpa；5)去除片状催化剂的表面，除去污染物和氧化膜；6)真空包装。
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