[发明专利]碳纳米管改性的高电流密度全氟离子交换膜及其制备方法有效
| 申请号： | 201310539238.7 | 申请日： | 2013-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN103556179A | 公开（公告）日： | 2014-02-05 |
| 发明（设计）人： | 王学军;王婧 | 申请（专利权）人： | 山东东岳高分子材料有限公司 |
| 主分类号： | C25B13/08 | 分类号： | C25B13/08;C25B13/02;C25B1/46 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人： | 杨磊 |
| 地址： | 256401*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明涉及碳纳米管改性的高电流密度全氟离子交换膜及其制备方法。该膜是由含碳纳米管的全氟磺酸离子交换树脂层和全氟羧酸离子交换树脂层组成基膜，增强网布置入该基膜表面或内部，在基膜两侧表面涂覆有3-12微米的气体释放涂层；其中，所述全氟磺酸树脂层中含0.1-10wt%的碳纳米管，全氟磺酸树脂层厚度为80-150微米，全氟羧酸树脂层厚度为8-15微米。该膜可以通过熔融共挤出或多层热压复合的工艺制备。该膜可以用于氯碱工业的离子交换膜，尤其适用于超高电流密度电解工艺，具有较好的机械性能和电化学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 改性 电流密度 离子交换 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种碳纳米管改性的全氟离子交换膜，其特征在于由含碳纳米管的全氟磺酸离子交换树脂层和全氟羧酸离子交换树脂层组成基膜，增强网布置入该基膜表面或内部，在基膜两侧表面涂覆有3‑12微米的气体释放涂层；其中，所述全氟磺酸树脂层中含0.1‑10wt%的碳纳米管，全氟磺酸树脂层厚度为80‑150微米，全氟羧酸树脂层厚度为8‑15微米。
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