[发明专利]一种应用于功率切换器电路的半导体封装结构有效
| 申请号： | 201310540264.1 | 申请日： | 2010-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN103646942A | 公开（公告）日： | 2014-03-19 |
| 发明（设计）人： | 薛彦迅;安荷·叭剌;鲁军 | 申请（专利权）人： | 万国半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/00 | 分类号： | H01L25/00;H01L23/495;H01L23/482;H01L23/488;H02M3/10 |
| 代理公司： | 上海信好专利代理事务所(普通合伙) 31249 | 代理人： | 张静洁;徐雯琼 |
| 地址： | 美国加利福尼亚*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种应用于功率切换器电路的半导体封装结构，将两个MOSFET芯片堆叠连接形成功率切换器，并水平或垂直的在同一封装中封装一旁路电容；更可在该同一封装中还设置一PIC芯片以形成DC-DC转换器。本发明所提供的半导体封装结构，使得该旁路电容的设置最靠近MOSFET芯片，产生的寄生电感最小，从而在有效提高功率切换器或DC-DC转换器性能的同时，也有效减少了整个半导体封装结构的尺寸。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 应用于 功率 切换 电路 半导体 封装 结构 | ||
【主权项】：
一种应用于功率切换器电路的半导体封装结构，其特征在于，包含：引线框架，其具有一载片台和一第一引脚；所述的第一引脚包含一向载片台方向延伸的第一下降台阶；分别具有底部漏极区域、顶部栅极区域和顶部源极区域的高端MOSFET芯片和低端MOSFET芯片；其中：所述的高端MOSFET芯片的底部漏极粘接贴附在所述第一下降台阶上，形成电性连接；所述的低端MOSFET芯片的底部漏极区域的第一部分粘接贴附至载片台上，形成电性连接；该低端MOSFET芯片的底部漏极区域的第二部分延伸到载片台的外部、且堆叠在高端MOSFET芯片的顶部源极区域上方，使得低端MOSFET芯片的漏极与高端MOSFET芯片的源极形成电性连接。
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