[发明专利]具有一个或多个半导体柱形件的半导体布置有效
申请号: | 201310542496.0 | 申请日: | 2013-11-05 |
公开(公告)号: | CN104377232B | 公开(公告)日: | 2018-04-20 |
发明(设计)人: | 让-皮埃尔·科林格;江国诚;郭大鹏;卡洛斯·H.·迪亚兹 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L29/06 | 分类号: | H01L29/06;H01L21/02 |
代理公司: | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人: | 章社杲,孙征 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 本发明提供了一种半导体布置,包括衬底区和从衬底区凸起的第一半导体柱形件。半导体布置包括从衬底区凸起的第二半导体柱形件。第二半导体柱形件与第一半导体柱形件分离第一距离。第一距离介于约10nm至约30nm之间。本发明还提供了一种形成半导体布置的方法。 | ||
搜索关键词: | 具有 一个 半导体 柱形件 布置 | ||
【主权项】:
一种半导体布置,包括:衬底区;第一半导体柱形件,从所述衬底区凸起,其中:所述第一半导体柱形件的侧壁具有非锥形部和第一锥形部;和所述侧壁的所述第一锥形部以小于90的内角邻接所述第一半导体柱形件的顶面,其中,所述第一半导体柱形件终止于所述顶面;以及第二半导体柱形件,从所述衬底区凸起,所述第二半导体柱形件沿着第一轴与所述第一半导体柱形件分离第一距离,所述第一距离介于10nm至30nm之间;第四半导体柱形件,从所述衬底区凸起,所述第四半导体柱形件沿着所述第一轴与所述第一半导体柱形件分离第三距离,其中,所述第一距离不同于所述第三距离。
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