[发明专利]一种具有空穴注入层的有机发光二极管的制造方法

摘要

本发明公开了一种有机发光二极管的制造方法，该方法制备工艺简单、成本低且制得的发光二极管发光效率高。本发明的有机发光二极管的制造方法包括依次制备衬底、阳极、空穴注入层、有机发光层和阴极。本发明的发光二极管采用的有机发光层作为高效的发光聚合物，发光二极管的发光性能得到显著提高；同时采用与上述有机发光层配合优异的聚合物作为空穴注入层，使发光二极管的发光性能得到显著提高，同时制备工艺简单，制作成本低。

主权项

1.一种具有空穴注入层的有机发光二极管的制造方法，包括如下步骤：本发明的发光二极管的制造方法包括如下步骤：准备衬底，清洁衬底的阳极表面，烘干；制备阳极，将阳极利用真空溅射覆盖在衬底上面，烘干后除去表面附着的有机沉积薄膜以阳极表面的功函数；制备空穴注入层，在匀胶机上高速旋涂一层空穴注入层材料，烘干后除去残余溶剂；所述空穴注入层的材料为具有通式（VIII）的苯并二氢吡喃聚合物，式中，R₁₁为其中，Z为C₇～C₃₀烷基或-CH₂CH₂-S-(C₁～C₃₀烷基)，制备有机发光层，将有机发光层材料采用旋涂或印刷方法形成在阳极表面；所述有机发光层的材料是具有通式(I)结构的苯并噻吩类聚合物，其中，R₁选自C1-C12烷基，C2-C12烯基，C2-C12炔基，C6-C14芳基，C3-C12杂环，C3-C18杂芳基烷基，C6-C18芳基烷基或C3-C7环烷基；R₂选自氢，C1-C12烷基，C2-C12烯基，C2-C12炔基，C3-C12杂环，C3-C18杂芳基烷基，C6-C18芳基烷基或C3-C7环烷基；R₃选自氢，卤素，硝基，-NR_aR_b，-SO₂R_c，-SO₂NR_dR_e，-CONR_fR_g，-NR_hCOR_i，-NR_jSO₂R_k，叠氮基，氰基，三氟甲基，三氟甲氧基，C1-C6烷基或-OR_l；R₄选自氢，卤素，硝基，-NR_aR_b，-SO₂R_c，-SO₂NR_dR_e，-CONR_fR_g，-NR_hCOR_i，-NR_jSO₂R_k，叠氮基，氰基，三氟甲基，三氟甲氧基，C1-C6烷基或-OR_l；R₅选自氢，卤素，硝基，-NR_aR_b，-SO₂R_c，-SO₂NR_dR_e，-CONR_fR_g，-NR_hCOR_i，-NR_jSO₂R_k，叠氮基，氰基，三氟甲基，三氟甲氧基，C1-C6烷基或-OR_l；R₆选自氢，卤素，C1-C12烷基，C2-C12烯基，C6-C14芳基，C5-C14杂芳基，C6-C14芳基烷基，C5-C14杂芳基烷基，C3-C12杂环，C3-C7环烷基或C3-C7环烯基；A选自-NR_jSO₂R_k，-OR_n，-NR_oSO₂NR_pR_q；B选自-CO-，-SO₂-；R₁、R₆非氢时可被一种或一种以上的以下基团所任选取代：卤素，硝基，-NR_aR_b，-SO₂R_c，-SO₂NR_dR_e，-CONR_fR_g，-NR_hCOR_i，-NR_jSO₂R_k，叠氮基，氰基，三氟甲基，三氟甲氧基，C1-C6烷基或-OR_l；R₂非氢时可被一种或一种以上的以下基团所任选取代：卤素或-OR_m；上述中，R_a，R_b，R_c，R_d，R_e，R_f，R_g，R_h，R_i，R_j，R_k，R_l，R_n，R_o，R_p，R_q独立地选自氢或C1-C6烷基或C6-C14芳基；R_m独立地选自氢或C1-C6烷基；制备阴极，利用真空蒸镀将金属蒸镀在有机发光层的表面上形成阴极。