[发明专利]基于重构-等效啁啾和等效半边切趾的DFB半导体激光器及制备方法在审
| 申请号： | 201310545540.3 | 申请日： | 2013-11-06 |
| 公开（公告）号： | CN103762497A | 公开（公告）日： | 2014-04-30 |
| 发明（设计）人： | 郑俊守;陈向飞;李连艳 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | H01S5/06 | 分类号： | H01S5/06;H01S5/12;H01S5/40 |
| 代理公司： | 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 | 代理人： | 陈建和 |
| 地址： | 210093 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了基于重构-等效啁啾（REC）和等效半边切趾的分布反馈式（DFB）半导体激光器的制备方法，所述激光器的光栅结构是基于重构-等效啁啾技术的取样布拉格光栅；光栅中的相移是通过等效啁啾技术设计引入的，称为等效相移，等效相移区的位置在取样光栅中心的+/-20%的区域范围内；有一个等效相移被引入到除0级外所有影子光栅中，切趾是通过沿激光器腔长方向逐渐改变取样光栅的取样结构即占空比的大小来等效地实现的，并且只在等效相移区的一侧取样光栅中引入等效切趾即所述的等效半边切趾。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 等效 啁啾 半边 dfb 半导体激光器 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.基于重构-等效啁啾（REC）和等效半边切趾的分布反馈式（DFB）半导体激光器的制备方法，其特征是所述激光器的光栅结构是基于重构-等效啁啾技术的取样布拉格光栅；光栅中的相移是通过等效啁啾技术设计引入的，称为等效相移，等效相移区的位置在取样光栅中心的+/-20%的区域范围内；有一个等效相移被引入到除0级外所有影子光栅中，在第m级影子光栅的光栅周期表示为:Λ m = Λ 0 P m Λ 0 + P - - - ( 1 ) λ m = 2 n eff Λ m = 2 n eff Λ 0 P m Λ 0 + P - - - ( 2 )
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