[发明专利]一种红外屏蔽功能薄膜的制备方法

摘要

本发明公开了一种红外屏蔽功能薄膜的制备方法，包括：交流溅射硅铝旋转靶，在玻璃基板上磁控溅射Si3N4层；交流溅射掺铝氧化锌陶瓷，在Si3N4层上磁控溅射AZO层；直流溅射银平面靶，在AZO层上磁控溅射Ag层；交流溅射掺铝氧化锌陶瓷旋转靶，在Ag层上磁控溅射AZO层；直流溅射银平面靶，在AZO层上磁控溅射Ag层；交流溅射掺铝氧化锌陶瓷靶，在Ag层上磁控溅射AZO层；直流溅射银平面靶，在AZO层上磁控溅射Ag层；交流溅射掺铝氧化锌陶瓷旋转靶，在Ag层上磁控溅射AZO层；交流溅射硅铝旋转靶，在AZO层上磁控溅射Si3N4层。本发明目的提供一种工艺简单，操作方便，生产成本低的三银低辐射玻璃制备方法。

主权项

一种红外屏蔽功能薄膜的制备方法，其特征在于包括以下步骤：A、采用氮气作为反应气体，氩气作为保护气体，交流电源溅射硅铝旋转靶，在玻璃基板上磁控溅射Si3N4层；B、采用氩气作为反应气体，交流电源溅射掺铝氧化锌陶瓷，在步骤A中Si3N4层上磁控溅射AZO层；C、采用氩气作为反应气体，直流电源溅射银平面靶，在步骤B中的AZO层上磁控溅射Ag层；D、采用氩气作为反应气体，交流电源溅射掺铝氧化锌陶瓷旋转靶，在步骤C中Ag层上磁控溅射AZO层；E、采用氩气作为反应气体，直流电源溅射银平面靶，在步骤D中的AZO层上磁控溅射Ag层；F、采用氩气作为反应气体，交流电源溅射掺铝氧化锌陶瓷靶，在步骤E中的Ag层上磁控溅射AZO层；G、采用氩气作为反应气体，直流电源溅射银平面靶，在步骤F中的AZO层上磁控溅射Ag层；H、采用氩气作为反应气体，交流电源溅射掺铝氧化锌陶瓷旋转靶，在步骤G中的Ag层上磁控溅射AZO层；I、采用氮气作为反应气体，氩气作为保护气体，交流电源溅射硅铝旋转靶，在步骤H中的AZO层上磁控溅射Si3N4层。