[发明专利]一种新型硫化镉薄膜及其生长方法无效
| 申请号： | 201310549852.1 | 申请日： | 2013-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN103633216A | 公开（公告）日： | 2014-03-12 |
| 发明（设计）人： | 靖新宇 | 申请（专利权）人： | 成都昊地科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L33/28 | 分类号： | H01L33/28;H01L33/22;C30B29/50;C30B11/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 610000 四川省成都市*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 发明公开了一种新型硫化镉薄膜，其薄膜本体包括N型硫化镉层、P型硫化镉层和有源层，N型硫化镉层和P型硫化镉层均为包括主面和C面的硫化镉单晶，其主面和C面之间的夹角为30-60°，薄膜本体由正“V”形本体和倒“V”形本体相间连接而成，相邻的正“V”形本体的“V”形中部和倒“V”形本体的“V”形中部之间设有掩膜。本发明还公开了一种新型硫化镉薄膜的生长方法，采用双加热温梯炉进行生长，双加热温梯炉的坩埚槽为正“V”形和倒“V”形相间排列结构的坩埚槽。本发明所述硫化镉薄膜采用“V”形凹凸结构，硫化镉薄膜与基底之间产生的较大应力能利用“V”形空间分散释放，所以不会破裂或断裂；采用本发明所述方法生长硫化镉薄膜，其韧性更好。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 新型 硫化 薄膜 及其 生长 方法 | ||
【主权项】：
一种新型硫化镉薄膜，其薄膜本体包括N型硫化镉层、P型硫化镉层和有源层，所述有源层置于所述N型硫化镉层和所述P型硫化镉层之间，所述N型硫化镉层和所述P型硫化镉层均为包括主面和C面的硫化镉单晶，所述硫化镉单晶的主面和C面之间的夹角为30‑60°，其特征在于：所述薄膜本体由正“V”形本体和倒“V”形本体相间连接而成，相邻的所述正“V”形本体的“V”形中部和所述倒“V”形本体的“V”形中部之间设有掩膜。
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