[发明专利]晶圆的加工方法及通过该晶圆的加工方法得到的晶圆在审
| 申请号： | 201310551934.X | 申请日： | 2013-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN103811301A | 公开（公告）日： | 2014-05-21 |
| 发明（设计）人： | 杉村敏正;田中俊平;高桥智一;秋月伸也 | 申请（专利权）人： | 日东电工株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/683 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供晶圆的加工方法及通过该晶圆的加工方法得到的晶圆，该晶圆的加工方法在进行任意适当的加工工序前包括溶剂清洗工序，在该加工工序中，可适当地保持晶圆，并防止粘合片剥离后的残胶。本发明的晶圆的加工方法包括：粘合片粘贴工序，在具有包含辐射线固化型粘合剂的粘合剂层和基材的晶圆加工用粘合片上粘贴晶圆；辐射线照射工序，对该晶圆加工用粘合片的粘合剂层照射辐射线；清洗工序，用溶剂清洗该晶圆；以及加工工序，加工该晶圆。本发明的晶圆的加工方法中，在该清洗工序前进行该辐射线照射工序。 | ||
| 搜索关键词： | 加工 方法 通过 得到 | ||
【主权项】：
一种晶圆的加工方法，其包括：粘合片粘贴工序，在具有包含辐射线固化型粘合剂的粘合剂层和基材的晶圆加工用粘合片上粘贴晶圆；辐射线照射工序，对该晶圆加工用粘合片的粘合剂层照射辐射线；清洗工序，用溶剂清洗该晶圆和加工用粘合片；和加工工序，加工该晶圆，在该清洗工序前进行该辐射线照射工序。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日东电工株式会社，未经日东电工株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310551934.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
