[发明专利]制作倒装集成LED芯片级光源模组的方法有效
| 申请号： | 201310553600.6 | 申请日： | 2013-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN103579478A | 公开（公告）日： | 2014-02-12 |
| 发明（设计）人： | 李璟;王国宏;王军喜;李晋闽 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L33/62 | 分类号： | H01L33/62;H01L33/64 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 曹玲柱 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种制作倒装集成LED芯片级光源模组的方法。该方法包括：步骤A，在衬底上生长GaN材料，形成GaN外延结构；步骤B，对GaN外延结构进行深刻蚀工艺，形成多个独立的小LED材料结构；步骤C，对多个独立的小LED材料结构进行倒装LED芯片制备工艺，制备多个LED芯片的，与衬底接触的P电极和N电极；步骤D，对多个倒装LED芯片的P电极和N电极进行串并连工艺，形成倒装LED集成芯片；以及步骤E：对衬底抛光，喷涂荧光粉，切割成一颗颗倒装集成芯片，即倒装集成LED芯片级光源模组。采用本发明方法制备的倒装集成LED芯片级光源具有散热好、可大电流驱动、光效高等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 制作 倒装 集成 led 芯片级 光源 模组 方法 | ||
【主权项】：
一种制作倒装集成LED芯片级光源模组的方法，其特征在于，包括： 步骤A，在衬底上生长GaN材料，形成GaN外延结构； 步骤B，对所述GaN外延结构进行深刻蚀工艺，形成多个独立的小LED材料结构； 步骤C，对所述多个独立的小LED材料结构进行倒装LED芯片制备工艺，制备多个LED芯片的，与所述衬底接触的P电极和N电极； 步骤D，对多个倒装LED芯片的P电极和N电极进行串并连工艺，形成倒装LED集成芯片；以及 步骤E：对衬底抛光，喷涂荧光粉，切割成一颗颗倒装集成芯片，即倒装集成LED芯片级光源模组。
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