[发明专利]一种隧穿场效应浮栅晶体管及其制造方法在审
| 申请号： | 201310554280.6 | 申请日： | 2013-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN103594519A | 公开（公告）日： | 2014-02-19 |
| 发明（设计）人： | 刘开锋;刘红元;其他发明人请求不公开姓名 | 申请（专利权）人： | 苏州智权电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 | 代理人： | 连平 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种隧穿场效应浮栅晶体管，它包括一个具有第一种掺杂类型的半导体衬底；在半导体衬底上形成的具有第二种掺杂类型的源极和漏极；在半导体衬底内形成的介于源极和漏极之间的一个沟道区域；在半导体衬底之上形成的覆盖整个沟道区域的第一层绝缘薄膜；在第一层绝缘薄膜之上形成的一个作为电荷存储节点的导电性的浮栅区；在浮栅区和沟道区域之间形成的p-n结二极管；在p-n结二极管与浮栅之间形成的薄栅氧层；覆盖在浮栅区之上的第二层绝缘薄膜；以及在第二层绝缘薄膜之上形成的控制栅极。本发明通过在浮栅区与衬底p-n二极管区之间沉积薄栅氧层，形成新的浮栅晶体管，能够有效地采用高禁带宽度的氧化硅来阻碍浮栅内存储的电子逃逸。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 场效应 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种隧穿场效应浮栅晶体管，其特征在于包括有：一个具有第一种掺杂类型的半导体衬底；以及，在所述半导体衬底上形成的具有第二种掺杂类型的源极和漏极；在半导体衬底内形成的介于源极和漏极之间的一个沟道区域；在半导体衬底之上形成的覆盖整个沟道区域的第一层绝缘薄膜；在第一层绝缘薄膜之上形成的一个作为电荷存储节点的导电性的浮栅区；在浮栅区和沟道区域之间形成的p‑n结二极管；在p‑n结二极管与浮栅之间形成的薄栅氧层；覆盖在浮栅区之上的第二层绝缘薄膜；以及在所述第二层绝缘薄膜之上形成的控制栅极。
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