[发明专利]减小金属层刻蚀损伤的方法在审
| 申请号： | 201310554657.8 | 申请日： | 2013-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN103646911A | 公开（公告）日： | 2014-03-19 |
| 发明（设计）人： | 段成文;曾林华;任昱;吕煜坤;张旭昇 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 竺路玲 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种减小金属层刻蚀损伤的方法，包括以下步骤：提供一半导体器件，所述半导体器件包括一金属层，及所述金属层上方自下而上顺序依次沉积的阻挡层、第一介质层、第二介质层、和金属硬掩膜层；利用光刻工艺依次刻蚀所述金属硬掩膜层、第二介质层至所述第一介质层内，形成沟槽；然后再次进行光刻工艺刻蚀去除部分剩余第一介质层至所述阻挡层的上表面，形成通孔图案；然后采用分布刻蚀的方法去除通孔底部的阻挡层，以在通孔底部暴露出所述金属层，减小刻蚀阻挡层时对所述金属层造成的损伤；其中，采用两步刻蚀工艺刻蚀去除所述通孔图案下方的阻挡层。 | ||
| 搜索关键词： | 减小 金属 刻蚀 损伤 方法 | ||
【主权项】：
一种减小金属层刻蚀损伤的方法，应用于大马士革刻蚀工艺流程中，其特征在于，包括以下步骤：提供一半导体器件，所述半导体器件包括一金属层，及所述金属层上方自下而上顺序依次沉积的阻挡层、第一介质层、第二介质层、和金属硬掩膜层；利用光刻工艺依次刻蚀所述金属硬掩膜层、第二介质层至所述第一介质层内，形成沟槽；然后再次进行光刻工艺刻蚀去除部分剩余第一介质层至所述阻挡层的上表面，形成通孔图案；然后采用分布刻蚀的方法去除通孔底部的阻挡层，以在通孔底部暴露出所述金属层，减小刻蚀阻挡层时对所述金属层造成的损伤；其中，采用两步刻蚀工艺刻蚀去除所述通孔图案下方的阻挡层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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