[发明专利]氮化物发光二极管有效
| 申请号： | 201310555496.4 | 申请日： | 2013-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN103545405A | 公开（公告）日： | 2014-01-29 |
| 发明（设计）人： | 张东炎;王笃祥;刘晓峰;陈沙沙;王良均 | 申请（专利权）人： | 天津三安光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/04 | 分类号： | H01L33/04 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 300384 天津市*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氮化物发光二极管及其制备方法，属于光电器件制备领域。其具体结构包含：衬底、n型氮化物、发光层、p型氮化物层、p+型层、氮化铟铝层、n+型层、ITO透明电极。采用具有氮化铟铝插入层的隧穿结构作为接触层，能够在隧穿结界面处产生极化电荷，同时保持耗尽区的有效宽度，提升空穴的隧穿几率，减小接触电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 发光二极管 | ||
【主权项】：
氮化物发光二极管，包括：衬底；n型氮化物层，形成于所述衬底之上；发光层，形成于n型氮化物层之上；p型氮化物层，形成于所述发光层之上；p+型氮化物层，形成于所述p型氮化物层之上；氮化铟铝镓渐变层，形成于高p+型氮化物层之上；n+型氮化物层、形成于所述氮化铟铝镓渐变层之上；所述p+型氮化物层、氮化铟铝镓渐变插入层和n+型氮化物层构成隧穿结。
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