[发明专利]一种低温下化合物半导体与硅基半导体进行键合的方法有效
| 申请号： | 201310556902.9 | 申请日： | 2013-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN103560096A | 公开（公告）日： | 2014-02-05 |
| 发明（设计）人： | 王子昊;曹亮;崔德国;谈捷;刘城 | 申请（专利权）人： | 苏州矩阵光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L21/603 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人： | 彭秀丽 |
| 地址： | 215614 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种低温下化合物半导体和硅基半导体进行键合的方法，其包括如下步骤：（1）对硅基半导体进行清洗，之后在其表面镀钯；（2）对化合物半导体进行清洗，之后与步骤（1）中所述镀钯的硅基半导体相对，保持钯层位于两种半导体之间作为中间介质键合层，之后将两种半导体进行热压键合。本发明所述的低温下化合物半导体和硅基半导体进行键合的方法，本发明方法可以在200-300℃的相对低温下，仅采用钯层作为中间介质键合层实现了将硅基半导体与化合物半导体键合在一起，不仅成本较低，工艺过程简单，而且有效避免中间介质键合层溢流、粘片且难以卸片的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 低温 化合物 半导体 进行 方法 | ||
【主权项】：
一种低温下化合物半导体和硅基半导体进行键合的方法，其包括如下步骤：（1）对硅基半导体进行清洗，之后在其表面镀钯；（2）对化合物半导体进行清洗，之后与步骤（1）中所述镀钯的硅基半导体相对，保持钯层位于两种半导体之间作为中间介质键合层，之后将两种半导体进行热压键合。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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