[发明专利]半导体装置的制造方法

摘要

本发明目的在于提供一种半导体装置的制造方法，能够利用简单的方法降低对基板的损伤并且能够使电极的宽度变短。在形成于基板（10）的半导体层（10a）上形成第一层（12），在该第一层上形成第二层（14），在该第二层的上方形成被构图后的掩模（16），对该第二层的未被该掩模覆盖的部分进行刻蚀，实施对该第一层进行湿法刻蚀而使该第一层的宽度比该掩模的宽度短的湿法刻蚀工序，在该湿法刻蚀工序之后，在该半导体层上形成绝缘层（20），将该第一层（12A）和该第二层（14A）除去，在该绝缘层形成开口（20A），在该半导体层的表面的从该开口露出的部分形成电极（22A）。该第一层（12）的在该湿法刻蚀工序中的刻蚀速度比该第二层（14）的在该湿法刻蚀工序中的刻蚀速度快。

主权项

一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具备：在形成于基板的半导体层上形成第一层的工序；在所述第一层上形成第二层的工序；在所述第二层的上方形成被构图后的掩模的工序；对所述第二层的未被所述掩模覆盖的部分进行刻蚀的工序；对所述第一层进行湿法刻蚀，使所述第一层的宽度比所述掩模的宽度短的湿法刻蚀工序；将所述掩模除去的工序；在将所述掩模除去的工序之后，在所述半导体层上和所述第二层上，以所述半导体层上的绝缘层和所述第二层上的绝缘层不相连接的方式形成绝缘层的工序；将所述第一层和所述第二层除去，在所述绝缘层形成开口的工序；以及在所述半导体层的表面的从所述开口露出的部分形成电极的工序，所述第一层的在所述湿法刻蚀工序中的刻蚀速度比所述第二层的在所述湿法刻蚀工序中的刻蚀速度快。