[发明专利]薄膜晶体管及其制作方法无效
| 申请号： | 201310559447.8 | 申请日： | 2013-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN103545380A | 公开（公告）日： | 2014-01-29 |
| 发明（设计）人： | 张志榜 | 申请（专利权）人： | 友达光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 郭蔚 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种薄膜晶体管及其制作方法。薄膜晶体管包括氧化物半导体层、栅绝缘层、栅极、氧吸收层、绝缘层以及多个导电电极。氧化物半导体层包括多个低氧区以及位于低氧区之间的通道区。栅绝缘层位于氧化物半导体层与栅极之间，并覆盖通道区而暴露低氧区。氧吸收层位于低氧区上，并具有多个第一开口。第一开口暴露具有第一面积的低氧区。绝缘层覆盖氧吸收层、氧化物半导体层与门栅极，并具有多个第二开口。第二开口位于第一开口内以暴露具有第二面积的低氧区。第二面积小于第一面积。导电电极位于第二开口中以接触低氧区。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，配置于一基板上，该薄膜晶体管包括：一氧化物半导体层，配置于该基板上，该氧化物半导体层包括一通道区以及多个低氧区，该通道区位于该多个低氧区之间；一栅绝缘层，覆盖该通道区而暴露出该多个低氧区；一栅极，该栅绝缘层位于该氧化物半导体层与该栅极之间；一氧吸收层，配置于该氧化物半导体层的该多个低氧区上，并具有多个第一开口，各该第一开口暴露出具有一第一面积的其中一该低氧区；一绝缘层，配置于该基板上，覆盖该氧吸收层、该氧化物半导体层以及该栅极，且该绝缘层具有多个第二开口，各该第二开口位于其中一该第一开口之内以暴露出具有一第二面积的其中一该低氧区，其中，该第二面积小于该第一面积；以及多个导电电极，分别设置于该多个第二开口中以接触具有该多个第二面积的该多个低氧区。
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