[发明专利]一种结势垒肖特基二极管及其制作方法在审
| 申请号： | 201310559459.0 | 申请日： | 2013-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN103545382A | 公开（公告）日： | 2014-01-29 |
| 发明（设计）人： | 李诚瞻;吴煜东;刘可安;吴佳;史晶晶;杨勇雄 | 申请（专利权）人： | 株洲南车时代电气股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 412001 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种结势垒肖特基二极管及其制备方法，该结势垒肖特基二极管包括由N型半导体构成的有源区，所述有源区内设置有多个P型掺杂区，所述P型掺杂区在所述有源区的分布呈点阵型结构分布，其中，任意两个相邻的P型掺杂区之间的距离相等，以致在相同有源区面积的情况下，本发明实施例所需要的P型掺杂区的数量和面积最小，即所谓的“死区”的面积最小。相较于现有技术中的P型掺杂区的分布，这种P型掺杂区的分布有利于提高结势垒肖特基二极管的正向导电能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 结势垒肖特基 二极管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种结势垒肖特基二极管，包括由N型半导体构成的有源区，所述有源区内设置有多个P型掺杂区，所述P型掺杂区在所述有源区的分布呈点阵型结构分布，其特征在于，任意两个相邻的P型掺杂区之间的距离相等。
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