[发明专利]一种垂直方向纳米网格结构的制备方法有效
| 申请号： | 201310561224.5 | 申请日： | 2013-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN103617947A | 公开（公告）日： | 2014-03-05 |
| 发明（设计）人： | 吴文刚;张凯;马鹏程;王诣斐 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;B82Y10/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 关畅;王春霞 |
| 地址： | 100871 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种垂直方向纳米网格结构的制备方法。该方法包括如下步骤：（1）通过化学气相沉积法，在Si衬底表面上生长SiO2薄膜；（2）在所述SiO2薄膜上旋涂光刻胶，并对所述光刻胶依次进行前烘、曝光、后烘和显影，即在所述SiO2薄膜上得到电子束光刻对准标记图形；（3）根据电子束光刻对准标记图形进行电子束曝光，得到纳米量级的线条；（4）刻蚀所述SiO2薄膜，则在所述SiO2薄膜上得到所述纳米量级的线条；（5）通过深反应离子刻蚀所述Si衬底，即获得垂直方向上的纳米网格结构。本发明采用电子束光刻和DRIE刻蚀的方法，首次通过传统集成电路加工方法实现了垂直方向的纳米网格结构的制备。本发明采用的加工方法具有操作简单、可控性强的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 垂直 方向 纳米 网格 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种垂直方向纳米网格结构的制备方法，包括如下步骤：（1）通过化学气相沉积法，在Si衬底表面上生长SiO2薄膜；（2）在所述SiO2薄膜上旋涂光刻胶，并对所述光刻胶依次进行前烘、曝光、后烘和显影，即在所述SiO2薄膜上得到电子束光刻对准标记图形；（3）根据电子束光刻对准标记图形进行电子束曝光，得到纳米量级的线条；（4）刻蚀所述SiO2薄膜，则在所述SiO2薄膜上得到所述纳米量级的线条；（5）通过深反应离子刻蚀所述Si衬底，即获得垂直方向上的纳米网格结构。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京大学，未经北京大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310561224.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
