[发明专利]半导体装置与其制造方法有效
| 申请号： | 201310562393.0 | 申请日： | 2013-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN104051351A | 公开（公告）日： | 2014-09-17 |
| 发明（设计）人： | 李冠儒 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/00 | 分类号： | H01L23/00;H01L27/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 曹玲柱 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体装置与其制造方法。该半导体装置包括：一半导体层；一氧化层，形成于该半导体层上，该氧化层包括一凹部，该凹部位于朝向该半导体层的一垂直方向上；以及一多晶硅遮蔽层，形成于该氧化层的凹部中，该多晶硅遮蔽层包括一接口，该接口位于该凹部中。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 与其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于，包括：一半导体层；一氧化层，形成于该半导体层上，该氧化层包括一凹部，该凹部位于朝向该半导体层的一垂直方向上；以及一多晶硅遮蔽层，形成于该氧化层的凹部中，该多晶硅遮蔽层包括一接口，该接口位于该凹部中。
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