[发明专利]聚合物微米/亚微米线阵列结构的制备方法无效
| 申请号： | 201310562904.9 | 申请日： | 2013-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN103569957A | 公开（公告）日： | 2014-02-12 |
| 发明（设计）人： | 卢明辉 | 申请（专利权）人： | 无锡英普林纳米科技有限公司 |
| 主分类号： | B81C99/00 | 分类号： | B81C99/00 |
| 代理公司： | 南京知识律师事务所 32207 | 代理人： | 李媛媛 |
| 地址： | 214192 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种聚合物微米/亚微米线阵列结构的制备方法，该方法包括以下步骤：根据专利ZL200710134575.2的方法获得聚合物I填充石英纤维空隙的复合结构；将上述结构置于HF酸溶液中腐蚀去除石英纤维，形成存在中空微结构阵列的聚合物I微结构；在上述中空微结构阵列中填充聚合物II；去除聚合物I，获得聚合物II的微米/亚微米线阵列结构。其中，聚合物I为聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸甲脂、松香等可在常温下被有机溶剂溶解的聚合物；聚合物II为聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸甲脂、聚二甲基硅氧烷等聚合物。本发明方法新颖，获得的微结构可在光电等领域获得应用。 | ||
| 搜索关键词： | 聚合物 微米 阵列 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
聚合物微米/亚微米线阵列结构的制备方法，其特征是，所述方法包括以下步骤：（1）根据专利ZL200710134575.2的方法获得聚合物I填充石英纤维空隙的复合结构；（2）将上述复合结构置于HF酸溶液中腐蚀去除石英纤维，形成存在中空微结构阵列的聚合物I微结构；（3）在上述中空微结构阵列中填充聚合物II；（4）去除聚合物I，获得聚合物II的微米/亚微米线阵列结构。
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