[发明专利]一种铜铟镓硒四元半导体合金的制备方法有效
| 申请号： | 201310564384.5 | 申请日： | 2013-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN103572089A | 公开（公告）日： | 2014-02-12 |
| 发明（设计）人： | 崔勇;熊良银;葛鹏;李明群;王雪松;刘实 | 申请（专利权）人： | 中国科学院金属研究所 |
| 主分类号： | C22C1/10 | 分类号： | C22C1/10;C22C30/02;H01L31/18 |
| 代理公司： | 沈阳晨创科技专利代理有限责任公司 21001 | 代理人： | 张晨 |
| 地址： | 110015 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明的目的在于提供一种铜铟镓硒四元半导体合金的制备方法，具体步骤为：将装有铜、铟、镓三种原料的石英坩埚放入真空感应炉中，抽真空，通入氩气，感应炉的真空度为20-30mmHg，逐渐升温到500-700℃，随后升温到900-1100℃，熔炼10-30min，随炉冷却，得到铜铟镓三元合金；将制好的铜铟镓三元合金与硒粉分别装入石英管的两端，抽真空，将石英管封管；采用管式炉对装有铜铟镓一端的石英管加热到850-950℃；用管式炉对石英管另一端装有硒粉的部分加热，加热到300-330℃，保温0-20min；300℃到500℃保温1-20h；500℃加热到750℃；当硒粉一端温度达750℃时，将铜铟镓一端的温度降到750℃，使铟与硒在750℃下反应5-60小时；关闭管式炉停止加热，冷却到室温，得到铜铟镓硒固体样品。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 铜铟镓硒四元 半导体 合金 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种铜铟镓硒四元半导体合金的制备方法，其特征在于，具体步骤如下：将装有铜、铟、镓三种原料的石英坩埚放入真空感应炉中；对真空感应炉抽真空，之后通入氩气，感应炉的真空度为20‑30mmHg，然后逐渐升温到500‑700℃，铜、铟、镓三种金属逐渐熔化，随后升温到900‑1100℃，熔炼10‑30min，随炉冷却，得到铜铟镓三元合金；将炼制好的铜铟镓三元合金与硒粉分别装入石英管的两端，抽真空，将石英管封管；采用管式炉对装有铜铟镓三元合金一端的石英管从室温加热到850‑950℃；同时用管式炉对石英管另一端装有硒粉的部分加热，从室温加热到300‑330℃，保温0‑20min；然后加热到500℃保温1‑20h；500℃加热到750℃；当硒粉一端温度达到750℃时，将铜铟镓三元合金一端的温度降到750℃，使铜铟镓与硒在750℃下反应5‑60小时；关闭管式炉，停止加热，冷却到室温，得到铜铟镓硒固体样品。
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