[发明专利]声波器件及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201310566328.5 申请日: 2013-11-14
公开(公告)号: CN103825574B 公开(公告)日: 2017-06-23
发明(设计)人: 谷口真司;西原时弘 申请(专利权)人: 太阳诱电株式会社
主分类号: H03H9/15 分类号: H03H9/15;H03H9/54;H03H3/02
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司11127 代理人: 吕俊刚,王伶
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明涉及声波器件及其制造方法。所述声波器件包括基板;位于基板上的压电膜;隔着所述压电膜彼此面对的下电极和上电极,所述下电极和所述上电极中的至少一个包括第一导电膜和形成在所述第一导电膜上的第二导电膜;绝缘膜,其夹在所述第一导电膜和所述第二导电膜之间,并且所述绝缘膜的弹性常数的温度系数的符号与所述压电膜的弹性常数的温度系数的符号相反;以及第三导电膜,其形成在所述绝缘膜和所述第二导电膜二者的端面上,并且使得所述第一导电膜和所述第二导电膜之间电短路。
搜索关键词: 声波 器件 及其 制造 方法
【主权项】:
一种声波器件,该声波器件包括:基板;位于所述基板上的压电膜;下电极和上电极,所述下电极和所述上电极隔着所述压电膜彼此面对,所述上电极包括第一导电膜和形成在所述第一导电膜上的第二导电膜;绝缘膜,所述绝缘膜夹在所述第一导电膜和所述第二导电膜之间,并且所述绝缘膜的弹性常数的温度系数的符号与所述压电膜的弹性常数的温度系数的符号相反;以及第三导电膜,所述第三导电膜形成在所述绝缘膜和所述第二导电膜二者的端面上,并且使得所述第一导电膜和所述第二导电膜之间电短路,其中在所述下电极的引出线侧处的所述压电膜的外周位于比所述绝缘膜的所述端面更向内的位置,以及所述绝缘膜包括在平面图中所述下电极和所述上电极隔着所述压电膜彼此面对的对向区域,并且所述绝缘膜的面积等于或大于所述对向区域的面积。
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