[发明专利]晶圆边缘厚度量测稳定性监控方法无效
申请号: | 201310566459.3 | 申请日: | 2013-11-13 |
公开(公告)号: | CN103560098A | 公开(公告)日: | 2014-02-05 |
发明(设计)人: | 朱陆君;倪棋梁;陈宏璘 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 陆花 |
地址: | 201203 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 一种晶圆边缘厚度量测稳定性监控方法,包括:通过在裸片晶圆上生长一层具有特定厚度的氧化物层来制作标准片;利用检测设备扫描,将每次扫描得到整个晶圆边缘厚度的最大值、最小值和平均值分别进行算术平均;在实际检测时利用检测设备对所述标准片进行扫描以获取整个晶圆边缘厚度;求取最大厚度基准值与最大厚度检测值之差的绝对值作为最大厚度偏差度,求取最小厚度基准值与最小厚度检测值之差的绝对值作为最小厚度偏差度,并求取平均厚度基准值与平均厚度检测值之差的绝对值作为平均厚度偏差度;判断最大厚度偏差度是否小于第一阈值、且最大厚度偏差度小于第二阈值、且平均厚度偏差度小于第三阈值,根据判断结果来确定晶圆边缘厚度量测稳定性。 | ||
搜索关键词: | 边缘 厚度 稳定性 监控 方法 | ||
【主权项】:
一种晶圆边缘厚度量测稳定性监控方法,其特征在于包括:第一步骤,通过在裸片晶圆上生长一层具有特定厚度的氧化物层来制作标准片;第二步骤,利用检测设备对所述标准片进行预定次数的扫描以获取整个晶圆边缘厚度,将每次扫描得到整个晶圆边缘厚度的最大值、最小值和平均值分别进行算术平均,从而获取最大厚度基准值、最小厚度基准值和平均厚度基准值;第三步骤,在实际的检测时利用检测设备对所述标准片进行扫描以获取整个晶圆边缘厚度,分别得到整个晶圆边缘厚度的最大厚度检测值、最小厚度检测值和平均厚度检测值;第四步骤,求取最大厚度基准值与最大厚度检测值之差的绝对值作为最大厚度偏差度,求取最小厚度基准值与最小厚度检测值之差的绝对值作为最小厚度偏差度,并求取平均厚度基准值与平均厚度检测值之差的绝对值作为平均厚度偏差度;第五步骤,判断最大厚度偏差度是否小于第一阈值、并且最大厚度偏差度小于第二阈值、并且平均厚度偏差度小于第三阈值,而且根据判断结果来确定晶圆边缘厚度量测稳定性。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造