[发明专利]太阳电池后覆膜制备方法无效
| 申请号： | 201310566478.6 | 申请日： | 2013-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN103560176A | 公开（公告）日： | 2014-02-05 |
| 发明（设计）人： | 贾河顺;姜言森;方亮;任现坤;徐振华;张春艳;马继磊 | 申请（专利权）人： | 山东力诺太阳能电力股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 济南舜源专利事务所有限公司 37205 | 代理人： | 宋玉霞 |
| 地址： | 250103 山东省济南*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种太阳电池后覆膜制备方法，包括以下步骤：步骤一、在经过制绒、清洗、扩散步骤后的半导体衬底表面制备正面导体电极；步骤二、烘干；步骤三、制备减反射膜。本方法与现在传统太阳生产工艺相比，可以使细栅上的反射光被再次反射入太阳电池，从而被充分吸收利用，这样可以提高太阳光的吸收效率，达到提高太阳电池短路电流，提高效率的目的；而且使太阳电池表面颜色更加均一，降低了色差。 | ||
| 搜索关键词： | 太阳电池 后覆膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种太阳电池后覆膜制备方法，包括以下步骤：步骤一、在经过制绒、清洗、扩散步骤后的半导体衬底表面制备正面导体电极；步骤二、烘干；步骤三、制备减反射膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
