[发明专利]半导体集成电路和具有半导体集成电路的半导体系统有效
申请号: | 201310566623.0 | 申请日: | 2013-11-13 |
公开(公告)号: | CN103887288B | 公开(公告)日: | 2018-07-27 |
发明(设计)人: | 李太龙 | 申请(专利权)人: | 爱思开海力士有限公司 |
主分类号: | H01L25/065 | 分类号: | H01L25/065;H01L23/48 |
代理公司: | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人: | 许伟群;俞波 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 一种半导体集成电路可以包括:多个半导体芯片,被配置成以三维形式层叠;第一组穿通芯片通孔,被配置成分别穿过多个半导体芯片,并且用于半导体集成电路的密度扩展;以及第二组穿通芯片通孔,被配置成分别穿过多个半导体芯片,并且用于半导体集成电路的带宽扩展。多个半导体芯片中的每个半导体芯片包括:路径选择单元,被配置成响应于模式转换信号来选择布置在半导体芯片中的第一组穿通芯片通孔中的一个穿通芯片通孔、或者选择布置在半导体芯片中的第二组穿通芯片通孔中的一个穿通芯片通孔;以及内部电路,被配置成与通过路径选择单元选择的穿通芯片通孔选择性地耦接。 | ||
搜索关键词: | 半导体 集成电路 具有 系统 | ||
【主权项】:
1.一种半导体集成电路,包括:多个半导体芯片,所述多个半导体芯片被配置成以三维形式层叠;第一组穿通芯片通孔,所述第一组穿通芯片通孔被配置成分别穿过所述多个半导体芯片、并且用于所述半导体集成电路的密度扩展和带宽扩展;以及第二组穿通芯片通孔,所述第二组穿通芯片通孔被配置成分别穿过所述多个半导体芯片、并且用于所述半导体集成电路的带宽扩展,其中,所述多个半导体芯片中的每个半导体芯片包括:路径选择单元,所述路径选择单元被配置成响应于模式转换信号来选择布置在所述半导体芯片中的所述第一组穿通芯片通孔中的一个穿通芯片通孔、或者选择布置在所述半导体芯片中的所述第二组穿通芯片通孔中的一个穿通芯片通孔;以及内部电路,所述内部电路被配置成与通过所述路径选择单元选择的穿通芯片通孔选择性地耦接。
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