[发明专利]多接触孔的形成方法无效
申请号: | 201310566696.X | 申请日: | 2013-11-13 |
公开(公告)号: | CN103560109A | 公开(公告)日: | 2014-02-05 |
发明(设计)人: | 朱科奇 | 申请(专利权)人: | 宁波市鄞州科启动漫工业技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768;H01L21/311 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 315192 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明公开了一种多接触孔的形成方法,其特征在于:该方法包含有一形成于基板上的下层,下层可包括第二硬模层、一下硬模层,一设备层,或它们的组合,设备层可由任何合适的材料制成;第二硬模层可由任何合适的硬掩模材料组成,第二硬模层由与第一硬模层的材料不同的材料组成,且第二硬模层可具有任何合适的厚度;第一硬模层上形成有包含至少一个第一特征和至少一个第二特征的多个间隔开的特征层。本发明的有益效果是:操作简单,形成容易,提高了生产工作的效率,减少了步骤。 | ||
搜索关键词: | 接触 形成 方法 | ||
【主权项】:
一种多接触孔的形成方法,其特征在于: 该方法包含有一形成于基板(100)上的下层(200),下层(200)可包括第二硬模层(230)、一下硬模层(220),一设备层(210),或它们的组合,设备层(210)可由任何合适的材料制成; 第二硬模层(230)可由任何合适的硬掩模材料组成,第二硬模层(230)由与第一硬模层(300)的材料不同的材料组成,且第二硬模层(230)可具有任何合适的厚度; 第一硬模层(300)上形成有包含至少一个第一特征(402)和至少一个第二特征(403)的多个间隔开的特征层(401)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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