[发明专利]有机发光二极管装置及其制造方法有效
申请号: | 201310567045.2 | 申请日: | 2013-11-14 |
公开(公告)号: | CN103872078A | 公开(公告)日: | 2014-06-18 |
发明(设计)人: | 李志瑙;宋相武;金重铁;罗世焕;金知润;莲见太郎 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L21/77 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 吕俊刚;刘久亮 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 有机发光二极管装置及其制造方法。一种有机发光二极管装置包括:非活动区,其形成在基板的活动区外部;开关薄膜晶体管和驱动薄膜晶体管,其在各个像素区域中;平整层,其在基板上,并且设置有在基板的非活动区中的湿气阻挡部分;第一电极,其在平整层上并且连接到驱动薄膜晶体管;堤部,其在各个像素区域的外部形成在非活动区中;有机发光层,其在第一电极上并且针对各个像素区域来设置;第二电极,其在基板的整个表面上;第一钝化层,其在基板上;有机层,其在第一钝化层上;第二钝化层,其在有机层和第一钝化层上;阻隔膜,其被设置成面对基板;以及粘合剂,其被插置在基板和阻隔膜之间,并且被构造为将基板和阻隔膜彼此粘接进而实现面板状态。 | ||
搜索关键词: | 有机 发光二极管 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种有机发光二极管装置,该有机发光二极管装置包括:基板,其被划分成包括多个像素区域的活动区以及形成在该活动区外部的非活动区;开关薄膜晶体管和驱动薄膜晶体管,其形成在所述基板上的所述多个像素区域中的每一个处;平整层,其形成在包括所述开关薄膜晶体管和所述驱动薄膜晶体管的所述基板上,并且设置有处于所述基板的所述非活动区中的湿气阻挡部分;第一电极,其形成在所述平整层上,并且连接到所述驱动薄膜晶体管的漏极;堤部,其在包括所述第一电极的所述基板的各个像素区域的外部形成在所述非活动区中;有机发光层,其形成在所述第一电极上,并且以分开的方式针对各个像素区域设置;第二电极,其形成在包括所述有机发光层的所述基板的整个表面上;第一钝化层,其形成在包括所述第二电极的所述基板的整个表面上;有机层,其形成在所述第一钝化层上;第二钝化层,其形成在所述有机层和所述第一钝化层上;阻隔膜,其被设置成面对所述基板;以及粘合剂,其被插置在所述基板和所述阻隔膜之间,并且被构造为将所述基板和所述阻隔膜彼此粘接,从而实现面板状态。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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