[发明专利]存储器阵列结构与其操作方法与制造方法在审
| 申请号： | 201310567342.7 | 申请日： | 2013-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN104637520A | 公开（公告）日： | 2015-05-20 |
| 发明（设计）人： | 陈士弘 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C7/18 | 分类号： | G11C7/18;H01L23/522;H01L23/528;H01L21/768 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种存储器阵列结构与其操作方法与制造方法。该存储器阵列结构包括一环形电路图案、一阵列区以及一接触区；环形电路图案包括多条字线；阵列区包括一第一阵列、一第二阵列及多条位线；第一阵列包括一部分字线、一第一接地选择线与一第一串行选择线，第一接地选择线与第一串行选择线位于字线的两侧；第二阵列包括另一部分字线、一第二接地选择线与一第二串行选择线，第二接地选择线与第二串行选择线位于字线的两侧；位线位于第一阵列与第二阵列并跨越第一阵列与第二阵列；接触区具有多个接触点，字线透过些接触点与一外部电路电性连接。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 阵列 结构 与其 操作方法 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种存储器阵列结构，包括：一环形电路图案，包括多条字线，其中每该字线为环形；一阵列区，包括一第一阵列，包括一部分这些字线、一第一接地选择线与一第一串行选择线，该第一接地选择线与该第一串行选择线位于这些字线的两侧；一第二阵列，包括另一部分这些字线、一第二接地选择线与一第二串行选择线，该第二接地选择线与该第二串行选择线位于这些字线的两侧；及多条位线，位于该第一阵列与该第二阵列并跨越该第一阵列与该第二阵列；以及一接触区，具有多个接触点，其中这些字线透过这些接触点与一外部电路电性连接。
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