[发明专利]点状高电流离子注入机无效
| 申请号： | 201310567551.1 | 申请日： | 2013-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN103594312A | 公开（公告）日： | 2014-02-19 |
| 发明（设计）人： | 邱裕明;肖天金 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/317 | 分类号： | H01J37/317 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 陆花 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体制造装备技术领域，尤其是一种点状高电流离子注入机，包括并排设置的工艺腔、传送腔以及装载站，所述工艺腔内包括用于固定硅片的静电吸盘，所述传送腔内包括依次连接的第一传送站、理片器以及第二传送站，所述第一传送站还与装载站相互连接，所述静电吸盘连接至第一传送站，尤其的，该点状高电流离子注入机还包括冷却站，所述第二传送站连接至所述冷却站，所述冷却站连接至所述静电吸盘。本发明通过在点状高电流离子注入机上加装冷却站，用来做硅片的前期冷却，有效缩短硅片在静电吸盘上的等待冷却的时间，显著提升冷却注入的产能效率。 | ||
| 搜索关键词： | 点状高 电流 离子 注入 | ||
【主权项】：
一种点状高电流离子注入机，包括并排设置的工艺腔、传送腔以及装载站，所述工艺腔内包括用于固定硅片的静电吸盘，所述传送腔内包括依次连接的第一传送站、理片器以及第二传送站，所述第一传送站还与装载站相互连接，所述静电吸盘连接至第一传送站，其特征在于，该点状高电流离子注入机还包括冷却站，所述第二传送站连接至所述冷却站，所述冷却站连接至所述静电吸盘。
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