[发明专利]化合物半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 201310570939.7 | 申请日： | 2013-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN103855207A | 公开（公告）日： | 2014-06-11 |
| 发明（设计）人： | 西森理人;今田忠纮;多木俊裕 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 顾晋伟;董文国 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种化合物半导体器件及其制造方法。该化合物半导体器件包括第一化合物半导体层；形成在第一化合物半导体层的上侧上的第二化合物半导体层，并且第二化合物半导体层的带隙大于第一化合物半导体层的带隙；形成在第二化合物半导体层的上侧上的p型第三化合物半导体层；形成在第二化合物半导体层的上侧上穿过第三化合物半导体层的电极；形成为在第二化合物半导体层的上侧处与第三化合物半导体层接触的第四化合物半导体层，并且第四化合物半导体层的带隙小于第二化合物半导体层的带隙；以及形成为在第四化合物半导体层的上侧处与第三化合物半导体层接触的第五化合物半导体层，并且第五化合物半导体层的带隙大于第四化合物半导体层的带隙。 | ||
| 搜索关键词： | 化合物 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种化合物半导体器件，包括：第一化合物半导体层；第二化合物半导体层，所述第二化合物半导体层形成在所述第一化合物半导体层的上侧上，并且具有大于所述第一化合物半导体层的带隙的带隙；p型第三化合物半导体层，所述p型第三化合物半导体层形成在所述第二化合物半导体层的上侧上；电极，所述电极形成在所述第二化合物半导体层的上侧上穿过所述第三化合物半导体层；第四化合物半导体层，所述第四化合物半导体层形成为在所述第二化合物半导体层的上侧处接触所述第三化合物半导体层，并且具有小于所述第二化合物半导体层的带隙的带隙；以及第五化合物半导体层，所述第五化合物半导体层形成为在所述第四化合物半导体层的上侧处接触所述第三化合物半导体层，并且具有大于所述第四化合物半导体层的带隙的带隙。
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