[发明专利]碳纳米管薄膜的垂直叠层形成的晶体管有效
| 申请号： | 201310572051.7 | 申请日： | 2013-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN103824778A | 公开（公告）日： | 2014-05-28 |
| 发明（设计）人： | A·D·富兰克林;J·T·史密斯;G·S·图勒夫斯基 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28;H01L29/786;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 于静;张亚非 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及碳纳米管薄膜的垂直叠层形成的晶体管。公开了一种碳纳米管场效应晶体管。该碳纳米管场效应晶体管包括：第一碳纳米管膜；耦合到所述第一碳纳米管膜的第一栅极层以及与所述第一栅极层相对并耦合到所述第一栅极层的第二碳纳米管膜。所述第一栅极层配置成影响所述第一碳纳米管膜中的电场以及影响所述第二碳纳米管膜的电场。源极接触和漏极接触中的至少一个耦合到所述第一和第二碳纳米管膜并且通过欠重叠区域与所述第一栅极层分开。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 薄膜 垂直 形成 晶体管 | ||
【主权项】：
一种形成碳纳米管场效应晶体管的方法，包括：形成第一碳纳米管膜；将第一栅极层耦合到所述第一碳纳米管膜的表面以影响所述第一碳纳米管膜的电场；将第二碳纳米管膜耦合到所述第一栅极层，其中所述第一栅极层影响所述第二碳纳米管膜的电场；以及将源极接触和漏极接触中的至少一个耦合到通过欠重叠区域与所述第一栅极层分开的所述第一碳纳米管膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
